输入关键词搜索报告内容

📚 我的书签

🔖

还没有书签

在任意章节标题处点击右键
或使用快捷键添加书签

📊 阅读统计
阅读进度0%
📖 继续阅读
上次读到0%
🎁你的朋友送你一份专属分析内容
0/5 — 邀请朋友解锁更多研报

AI 生成内容声明

本报告由 AI 投资研究系统自动生成。AI 擅长大规模数据整理、财务趋势分析、多维度交叉比对和结构化估值建模;但在管理层意图判断、突发事件预测、市场情绪拐点捕捉和非公开信息获取方面存在固有局限。

本报告仅作为投资研究的参考材料,不构成任何买入、卖出或持有建议。在做出投资决策前,请结合自身风险承受能力,并咨询持牌金融顾问。投资有风险,入市需谨慎。

半导体设备四巨头 (AMAT · LRCX · ASML · KLAC) 横向对比深度研究

报告类型: 横向对比分析 (Comparative Analysis)
数据快照: 2026-02-24


第1章:核心结论一览

公司 综合评分 梯队 条件评级 一句话定位
ASML 7.78 T1 关注 EUV垄断之王 — 确定性最高的半导体设备资产
KLAC 7.65 T1 关注 效率之王 — 风险调整后回报最优的"半导体软件公司"
LRCX 6.50 T2 有条件关注 动量之王 — AI超级周期的高Beta赌注
AMAT 5.19 T3 中性关注 通才困局 — 便宜但合理定价的EPIC期权

概率加权期望回报: KLAC(+17.7%) > ASML(+4.2%) > AMAT(-22.4%) > LRCX(-24.9%)
最优双持组合: ASML + KLAC (护城河互补 + 风险不相关)


估值快照 (2026-02-24)

指标 AMAT LRCX ASML KLAC
股价 $373.55 $242.27 €1,485.99 $1,487.66
市值 ($B) $296.5 $302.5 $576.0 $195.5
P/E (TTM) 37.9x 50.9x 51.7x 49.0x
毛利率 48.7% 49.8% 52.8% 61.9%
ROIC 45.8% 74.3% 135.6% 78.3%
FCF Yield 2.11% 2.13% 2.25% 1.97%

宏观环境: Shiller P/E = 39.78 (98百分位) | Buffett指标 = 217% (99百分位)


评分体系

A-Score (护城河, 0-10): ASML(8.12) > KLAC(7.66) > LRCX(7.02) > AMAT(5.42)
B2 (单位经济学): KLAC(8.5) > ASML(7.8) > LRCX(7.3) > AMAT(4.9)
B3 (资本效率): KLAC(8.6) > LRCX(7.4) = ASML(7.4) > AMAT(5.0)
B4 (估值合理度): ASML(7.30) > KLAC(5.95) > AMAT(5.20) > LRCX(3.55)
B5 (风险防御): KLAC(8.0) > ASML(7.0) > LRCX(5.5) > AMAT(4.5)


报告目录

概览

Part I · 行业背景

Part II · 护城河分析 (A-Score)

Part III · 经济与估值分析 (B-Score)

Part IV · 交叉分析

Part V · 决策框架

附录

第2章:WFE市场结构与周期定位

核心论点: 全球WFE市场正处于AI驱动的第四年连续上行周期(CY2024-CY2027E),这在近30年中前所未有。四家公司共享同一宏观周期背景,但由于品类暴露度、经常性收入缓冲和积压订单厚度的差异,周期冲击的传导路径和幅度截然不同。KLAC在周期维度上最具投资吸引力——下行保护最强(Beta<1)、复苏弹性最高(Beta>1)、且当前估值对周期乐观预期的定价相对LRCX更为温和。


2.1 全球WFE市场全景 (2021-2026E)

2.1.1 市场规模与增速

全球晶圆厂设备(Wafer Fab Equipment, WFE)市场是半导体产业链中最具周期性的环节之一。设备采购直接反映芯片制造商对未来2-3年终端需求的预期,因此WFE是半导体产业的"二阶导数"——不仅受终端需求影响,更受终端需求变化率的驱动。

WFE历史规模与增速 (CY2019-CY2027E):

年份 WFE规模 YoY增速 驱动因素
CY2019 $48.8B -19% 存储过剩+贸易摩擦
CY2020 $65B +33% 疫情需求+5nm启动
CY2021 $90B+ +38% 全面扩产(逻辑+存储+成熟节点)
CY2022 $98B +9% 峰值,NAND CapEx开始冻结
CY2023 $76B -22% NAND CapEx冻结+库存调整
CY2024 $104B +37% AI复苏+中国抢装
CY2025E $116B +11% Memory复苏+AI CapEx启动
CY2026E $135B +9% GAA量产+HBM扩张
CY2027E $145-156B +7-15% 先进封装+延续投资(SEMI vs Gartner分歧)

关键分歧值得特别标注: SEMI预测CY2027E达$145-156B并创历史新高,而Gartner更为保守(CY2026E仅$120B级别,+4.4%增速),并警告CY2027-2028可能出现"周期性暂停"。分歧核心在于: AI需求是否构成"结构性需求底"(SEMI立场),还是叠加在传统周期之上的一次性脉冲(Gartner立场)。

2.1.2 关键驱动力解构

当前WFE超级周期由五大驱动力交织形成,按影响权重排序:

  1. AI/HPC芯片需求 (权重~35%): 四大超大规模厂商(Amazon/Google/Microsoft/Meta)CY2026合计CapEx预计达$600B+(+36% YoY),其中约75%直接用于AI基础设施。下游传导至TSMC先进制程/CoWoS产能扩张和三星/SK海力士HBM产能翻倍。每$100B数据中心投资,设备公司可捕获约$8B WFE支出。

  2. 先进封装/HBM (权重~20%): HBM3E/HBM4量产需要大量新增设备。Samsung HBM月产能目标CY2026底25万片(+47% vs当前17万片); SK Hynix DRAM总产能2H26可达约62万片/月(较2023年中期翻倍)。先进封装设备TAM的CAGR约33%($5.5B至$17.5B,CY2024-2028)。

  3. 先进逻辑节点迁移 (权重~20%): TSMC 3nm/2nm + Intel 18A/14A + Samsung 2nm GAA量产,每一代节点迁移增加工艺步骤数(从FinFET的约350步到GAA的约400-600步),对刻蚀/沉积/检测的设备需求产生乘数效应。

  4. 成熟节点/ICAPS (权重~15%): 汽车/工业/IoT需求驱动28nm及以上产能扩张。中国在成熟节点的抢装虽已从峰值回落,但全球8英寸产能利用率已从75-80%回升至85-90%,表明消化周期接近尾声。

  5. 地缘政治驱动的产能冗余 (权重~10%): 美国CHIPS法案、欧盟芯片法案、日本半导体战略推动的"在岸化"产能建设。TSMC亚利桑那厂、Intel俄亥俄厂、Samsung德州厂等项目预计在CY2025-2028为ASML贡献约120-150亿欧元设备订单。

2.1.3 设备品类分布

WFE并非一个均质市场,不同设备品类的市场规模、增速和竞争格局差异巨大:

设备品类 CY2025E规模 占WFE比例 CAGR(5Y) 竞争格局
光刻 ~$28-30B ~25-26% 10-12% ASML垄断(EUV 100%, DUV ~85%)
刻蚀 ~$28B ~24-25% 7-8% LRCX 45%, TEL 27%, AMAT 15%
沉积(CVD/PVD/ALD/ECD) ~$22-24B ~20-21% 8-10% AMAT领先(PVD ~85%), LRCX(ALD), TEL
检测/量测 ~$15B ~13-14% 7-8% KLAC 63%, Hitachi, Lasertec
CMP/清洗 ~$7-8B ~6-7% 5-6% AMAT(CMP 65%), Screen(清洗)
离子注入 ~$4-5B ~4% 4-5% AMAT ~70%, Axcelis
其他(热处理等) ~$8-10B ~7-8% 5-7% TEL, Kokusai

品类结构揭示了一个关键事实: 光刻和刻蚀合计占WFE约50%,这两个品类分别由ASML和LRCX主导。而AMAT虽然在多个品类有布局,但除PVD和离子注入外,没有在任何单一高价值品类取得绝对领先。KLAC所在的检测/量测占比约13-14%,规模虽不最大,但增速与WFE同步甚至超越(KLA收入CAGR 15.1% vs WFE CAGR约8-10%)。

2.1.4 WFE需求传导链

从终端AI需求到设备公司收入,存在多级传导和放大/衰减效应:

flowchart TB A["AI/HPC终端需求<br/>Hyperscaler CapEx $600B+"] --> B["芯片设计商<br/>NVDA/AMD/定制ASIC"] B --> C["晶圆代工/IDM扩产决策<br/>TSMC $54B / Samsung / Intel"] C --> D["WFE采购预算分配<br/>CY2026E ~$135B"] D --> E1["光刻 ~25%<br/>→ ASML"] D --> E2["刻蚀 ~25%<br/>→ LRCX/TEL/AMAT"] D --> E3["沉积 ~21%<br/>→ AMAT/LRCX/TEL"] D --> E4["检测/量测 ~14%<br/>→ KLAC/Hitachi"] D --> E5["CMP/离子注入/其他 ~15%<br/>→ AMAT/TEL等"] F["成熟节点需求<br/>Auto/IoT/ICAPS"] --> G["中国/日韩/欧美成熟fab"] G --> D H["先进封装需求<br/>HBM4/CoWoS/Chiplets"] --> I["封装厂产能扩张<br/>OSAT + Foundry"] I --> D style A fill:#4a90d9,stroke:#333,color:#fff style D fill:#e8a838,stroke:#333,color:#000 style E1 fill:#6bc46d,stroke:#333,color:#000 style E2 fill:#6bc46d,stroke:#333,color:#000 style E3 fill:#6bc46d,stroke:#333,color:#000 style E4 fill:#6bc46d,stroke:#333,color:#000

传导链的关键特征:


2.2 四公司在WFE中的位置

2.2.1 品类覆盖与市场份额

四家公司在WFE中的定位截然不同——从ASML的单品类绝对垄断到AMAT的多品类广泛覆盖,构成了半导体设备行业最具代表性的战略频谱:

ASML: 光刻垄断者

子品类 市场份额 竞争对手 备注
EUV光刻 100% 全球唯一EUV供应商
DUV光刻(ArF浸没式) ~85% Nikon (~15%) 先进节点仍需DUV辅助层
DUV光刻(KrF/i-line) ~60% Nikon, Canon 成熟节点,技术壁垒较低
High-NA EUV 100% 2nm/1.4nm的唯一选择

ASML的垄断不仅是市场份额的垄断,更是技术路径的垄断——没有ASML的EUV光刻机,3nm及以下节点的芯片无法制造。EUV系统单台售价超过2亿欧元,High-NA更达3.5亿欧元,这使光刻成为WFE中单台ASP最高的品类。

LRCX: 刻蚀/沉积双引擎

子品类 市场份额 竞争对手 备注
刻蚀(整体) ~45% TEL (~27%), AMAT (~15%) #1,绝对领先
NAND通道刻蚀 100% TEL Certas挑战中 独占,但面临新威胁
ALD沉积 领先 AMAT, TEL, ASM FY2025 ALD收入增50%+
PECVD沉积 ~25% AMAT CVD ~21% 第二梯队领先

LRCX的核心竞争力集中在刻蚀领域,特别是3D NAND的超高深宽比(HAR)刻蚀中拥有近乎不可替代的技术优势。SAM占WFE的mid-30s%,目标扩展至high-30s%。

AMAT: 多品类通才

子品类 市场份额 竞争对手 备注
PVD ~85% Ulvac, Naura(1%→10%) 份额最高的单一品类
CVD ~21% LRCX, TEL 市场第二
CMP ~65% Ebara 寡占
离子注入 ~70% Axcelis 近垄断
刻蚀 ~15% LRCX, TEL 市场第三
ECD(电化学沉积) 领先 先进封装相关

AMAT覆盖8大独立WFE市场,是Big 5中产品线最广的公司(产品线宽度评分9/10)。但"广度"并未转化为"深度"优势——过去5年WFE份额持平在约19%,研发费用$3.57B分散在8条产品线后每条仅约$4.5亿,低于KLAC和LRCX在各自核心领域的研发密度。

KLAC: 检测/量测垄断者

子品类 市场份额 竞争对手 备注
过程控制(整体) ~63% Hitachi, Lasertec 2010年50%→2024年63%,持续扩张
光学检测(明场) ~60% Hitachi, 少量AMAT 核心优势
光掩模(Reticle)检测 >80% Lasertec (~30%) 近垄断
先进封装检测 ~50% Camtek, AMAT, Onto 从10%快速扩张
CD-SEM量测 15-20% Hitachi (~70%) 接受Hitachi领先,不主动争夺

KLAC的战略是"窄赛道深耕"——在过程控制这一WFE细分中建立绝对统治,但不涉足沉积、刻蚀、光刻等其他品类。结果是: 更高毛利率(62% vs 47-52%)、更强客户粘性(跨工具数据整合)和更低资本需求(CapEx 2.8% vs 5-8%)。

2.2.2 品类价值 vs 品类份额矩阵

下表将四家公司的竞争定位映射到"品类规模"和"公司份额"两个维度:

公司 核心品类 品类CY2025E规模 公司份额 公司品类收入 份额趋势
ASML 光刻 ~$28-30B ~90%+ ~$26-28B 稳定(EUV+High-NA扩张)
LRCX 刻蚀 ~$28B ~45% ~$12.6B 稳定(TEL挑战中)
LRCX 沉积 ~$22-24B ~25% ~$5.5-6.0B 上升(ALD增长)
AMAT 沉积(PVD/CVD/ECD) ~$22-24B ~35% ~$7.7-8.4B 稳中有降(PVD被Naura侵蚀)
AMAT CMP+离子注入 ~$11-13B ~68% ~$7.5-8.8B 稳定
AMAT 刻蚀 ~$28B ~15% ~$4.2B 稳定
KLAC 检测/量测 ~$15B ~63% ~$9.5B 上升(2010年50%→2024年63%)

关键洞见: ASML和KLAC各自在所处品类拥有最高份额,但品类规模差异巨大(光刻$30B vs 检测$15B),这直接解释了两者的收入和市值差距。LRCX在最大的非光刻品类(刻蚀$28B)中份额最高(45%),理论上拥有最大的绝对收入弹性——但也意味着最高的周期暴露度。AMAT的"广度"意味着它在$90B+(非光刻WFE)的广阔市场中都有触点,但没有在任何单一高价值品类建立压倒性优势。

quadrantChart title WFE品类竞争定位(品类规模 vs 公司份额) x-axis "品类规模(小)" --> "品类规模(大)" y-axis "公司份额(低)" --> "公司份额(高)" quadrant-1 "垄断高地" quadrant-2 "利基统治" quadrant-3 "边缘参与" quadrant-4 "广泛布局" "ASML光刻": [0.85, 0.95] "LRCX刻蚀": [0.80, 0.65] "KLAC检测": [0.45, 0.80] "AMAT沉积": [0.70, 0.50] "AMAT CMP": [0.25, 0.82] "AMAT离子注入": [0.15, 0.85] "AMAT刻蚀": [0.80, 0.25] "LRCX沉积": [0.70, 0.40]

矩阵解读:


2.3 周期定位与需求可见度 (WFE六层雷达)

2.3.1 六层雷达框架

沿用B1维度定义的WFE六层雷达框架,逐层分析当前周期位置:

层级 维度 当前信号 定量指标 周期阶段判定
L1 终端需求 AI/HPC需求强劲, DRAM价格QoQ+90-95%, NAND QoQ+55-60% 价格暴涨+供给受限 扩张期(P2)
L2 客户CapEx TSMC $54B(+32%), WFE CY2026E $135B(+9%), 但增速从+37%递减至+9% 绝对值新高但增速递减 接近峰值(P3)
L3 WFE总量 CY2026E $135B(SEMI), CY2024-2027连续4年增长为30年首次 历史罕见的长上行 中后期(P2.5)
L4 品类分布 先进封装设备TAM CAGR 33%, ALD增长50%+, 检测增速超WFE AI驱动品类结构变化 扩张期(P2)
L5 订单/积压 ASML Q4 FY2025订单创纪录13.2B欧元; LRCX递延收入+81% YoY但Q2环比-19% 混合信号 过渡期(P2.5)
L6 库存/利用率 TSMC 3nm/5nm满载, 8英寸利用率回升至85-90%; 设备库存增速低于收入增速 供需紧平衡 扩张期(P2)

综合加权判定: P2.3-2.7 (扩张中后期, 尚未到达峰值但增速边际放缓)

六层雷达呈现一个"需求强劲但增速边际放缓"的典型特征:

2.3.2 WFE周期历史节奏

过去20年的WFE周期遵循一个相对清晰的节奏:

周期 上行期 持续年数 峰值年WFE 峰值后跌幅 驱动因素
Cycle 1 CY1997-2000 3年 ~$28B -46% PC/互联网
Cycle 2 CY2003-2007 4年 ~$40B -34% 手机/DRAM
Cycle 3 CY2009-2011 2年 ~$38B -18% 智能手机
Cycle 4 CY2016-2018 3年 ~$60B -7% 10nm/7nm+3D NAND
Cycle 5 CY2020-2022 3年(4年) ~$98B -22% 疫情需求+5nm+HBM
当前 CY2024-2027E 4年(预测) $145-156B ? AI/HBM超级周期
均值 3.2年 -22%

历史规律的关键启示:

  1. WFE连续上行超过3年的情况极为罕见。CY2024-2027如果实现SEMI预测的连续4年增长,将是近30年来最长的上行周期。
  2. 峰值后的平均跌幅为-22%,但波动幅度在收窄(从-46%收窄至-7%再到-22%),反映终端需求多元化和服务收入缓冲的结构性改善。
  3. 增速递减模式确认: CY2024 +37% --> CY2025E +11% --> CY2026E +9% --> CY2027E +7%。即使WFE绝对值持续创新高,增速递减斜率与历史周期峰值前12-18个月的模式高度一致。

2.3.3 "AI结构性转变" vs "传统周期延长"辩论

当前市场叙事中,最大的分歧在于AI是否改变了WFE的周期性本质:

"结构性转变"阵营 (SEMI/多数卖方):

"周期延长"阵营 (Gartner/部分对冲基金):

本报告立场: 倾向于"有条件的周期延长",而非纯粹的结构性转变。AI确实创造了新的设备需求品类(先进封装TAM CAGR 33%),但WFE的核心周期性机制——客户CapEx的前置/后移、产能利用率周期、库存-产能振荡——并未被根本改变。最可能的路径是: CY2024-2027连续上行后,CY2028-2029出现10-15%的调整(而非历史均值的-22%),因为AI需求确实提供了较高的周期底部。


2.4 周期扰动差异对比

2.4.1 核心问题

同样的WFE下行周期,为什么四家公司受到的冲击截然不同? 这个问题的答案直接决定了在当前周期位置(P2.3-2.7,增速递减但绝对值仍在扩张)下,哪家公司的风险收益比最优。

2.4.2 收入波动率: 过去两个完整周期的表现

指标 AMAT LRCX ASML KLAC
FY2023→FY2024收入YoY (WFE下行期) +2.5% -14.5% +2.6% -6.5%
FY2024→FY2025收入YoY (复苏期) +4.4% +23.7% +11.0% +23.9%
2019下行周期最大收入回撤 -12.7% -22.1% -16.3% -3.8%
CY2020-2021上行最大YoY +18.4% +22.7% +30.2% +33.1%
4Y收入CAGR (FY2021-2025) +5.3% +5.9% +13.9% +15.1%
收入波动率排名(高→低) #3 #1(最高) #2 #4(最低)

波动率解读:

2.4.3 周期缓冲机制: 四种不同的对冲策略

每家公司都发展出了独特的周期缓冲机制,但有效性差异巨大:

ASML: 积压订单缓冲 (最长时滞)

ASML的订单积压从CY2020约150亿欧元增长到CY2024超过390亿欧元。以FY2025收入313.78亿欧元计,约390亿欧元积压相当于约15个月的收入覆盖。这意味着:

LRCX: CSBG经常性收入缓冲 (最直接的底部支撑)

LRCX的CSBG(Customer Support and Business Group)FY2025收入$6.94B,占总收入37.7%,YoY增长16.0%。CSBG的类SaaS特征为LRCX提供了周期底部支撑:

但CSBG缓冲的有效性有限: FY2024总收入仍下降-14.5%,说明Systems下滑的幅度远超CSBG增长的对冲能力。37.7%的经常性收入占比意味着62.3%的Systems收入仍完全暴露于WFE周期。

KLAC: 检测刚需 + 低周期Beta + 服务缓冲

KLAC的周期防御来自三个层面:

  1. 检测设备的刚需特性: 检测是fab的"保险单"——fab可以延迟产能扩张(减少刻蚀/沉积采购),但不能降低在产产能的良率监控标准。这一不对称性是KLAC下行Beta<1的结构性来源。
  2. 服务业务的压舱石: 服务收入$2.68B(22%),52个季度(13年)连续同比增长,75%订阅合同+95%续约率。
  3. 历史Beta分析: 下行周期Beta<1(CY2018-2019: 0.57x), 上行周期Beta>1(CY2020-2021: 1.38x, CY2023-2024: 2.67x)。但5/5次WFE下行期KLAC有机收入均为负增长——Beta<1不等于正增长,只是跌幅小于市场。

AMAT: 产品线广度 + AGS服务

AMAT的8条产品线理论上提供了分散化对冲,实际效果有限:

2.4.4 下行时利润率弹性

利润率在周期下行时的表现揭示了各公司的"成本刚性"和定价权差异:

5年毛利率走廊 (FY2021-FY2025):

你刚看完执行摘要

后面还有 30 个深度章节等你解锁

包括完整财务分析、竞争格局、估值模型、风险矩阵等深度分析章节

260000
字深度分析
596
数据表格
95
可视化图表
32
分析章节
🔒

解锁这篇研报

邀请 1 位朋友注册即可直接解锁此报告,或使用已有额度。

恭喜解锁完整报告!

邀请朋友注册,获取解锁额度,可用于任意深度研报

每邀请 1 位朋友 = 1 个解锁额度